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中国研发新型存储芯片:性能快了100万倍

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与三星,东芝,美光等公司相比,中国多年来一直落后于DRAM内存和NAND闪存技术,但中国研究人员一直在追赶最新一代技术。不久前,据报道,中国投资130亿元建设PCM阶段。可变内存,性能是普通内存芯片的1000倍,现在功能更强大复旦大学微电子研究所教授张炜,周鹏带领团队开发了一种新的二维非易失性存储芯片,它们采用了半导体结构,开发的存储芯片性能优异,是传统二维存储芯片的100万倍,性能更长,刷新时间是存储器的156倍,具有更高的耐用性。

DIY玩家应该了解内存和闪存的优缺点。内存速度非常快,但功耗会丢失数据,而且价格昂贵。闪存比内存高一个数量级,但优点是它可以节省数据并降低成本。因此,业界一直在寻找一种可以同时具有存储器和闪存优势的存储器芯片,也就是说,它可以以极快的速度同时存储数据。

英特尔的3D XPoint闪存具有类似的功能,声称闪存的性能是闪存的1000倍,闪存的耐用性是闪存的1000倍。上一篇新闻中提到的PCM相变存储器是类似的技术,它可以在断电时保存数据。性能类似于内存,但这些新的内存芯片还没有达到内存和闪存的成熟点。

中国学者开发的存储芯片也在朝着这个方向发展。根据他们在《自然纳米技术》杂志上发表的论文,他们开发的存储芯片并没有采用传统芯片的FET原理,因为后者的物理尺寸逐渐缩小。在量子效应干涉的情况下,张伟和周鹏团队采用半浮栅晶体管技术,证明了近非Vorde Vals异质结构。这种新型存储器芯片具有易失性的半浮栅结构,具有优异的性能和耐用性。

具体来说,与DRAM内存相比,其数据刷新时间是前者的156倍,也就是说,它可以保存更长时间的数据,并且具有纳秒级(ns)的写入速度(NAND闪存的延迟一般在毫秒级,它比传统2D材料快100万倍,因此这种新型存储器有望缩小传统存储器和闪存之间的差距。

当然,这项技术仍然非常好,但不要指望该技术能够很快大规模生产,并且不太可能在未来两三年内进入市场。然而,任何具有DRAM和NAND优势的新存储器芯片都存在这个问题并且还不够成熟。在大规模生产市场中,传统的存储器和闪存具有很长的使用寿命。